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SEIKO

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SEIKO

石英晶振的激勵等級可以按照晶振的各種工作狀態(tài)下的消耗電力,或按照電流的等級來進(jìn)行表示。如果利用過大的電力來使晶振工作,有可能產(chǎn)生頻率不穩(wěn)定等特性的惡化,以及導(dǎo)致石英芯片破損的危險。在使用之前,建 議進(jìn)行電路設(shè)計時,確認(rèn)一下所使用的激勵等級不超過絕對最大激勵等級。

負(fù)載容量 (CL) 是用來決定在振蕩電路中晶振頻率的參數(shù),從加在振蕩電路中晶振兩端的電容可知負(fù)載容量(參閱圖12)。 因振蕩電路的負(fù)載容量的不同,晶振的頻率會相應(yīng)地產(chǎn)生變動。為了獲得目標(biāo)的頻率精度,必須使晶振與負(fù)載容量相匹 配。在使用時,請根據(jù)相應(yīng)晶振的負(fù)載容量,將振蕩電路的負(fù)載容量設(shè)定為與其相符。

SEIKO

  • 型號
  • 外部尺寸
    [ mm ]
  • 頻率范圍
    [ MHz ]
  • Frequency Tolerance
  • 工作室溫
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  • SC-12S

  • 1.2*1.0*0.15

  • 32.768KHZ

  • +-20PPM

  • -40℃ －85℃

  • SC-16S

  • 1.6*1.0*0.5

  • 32.768KHZ

  • +-20PPM

  • -40℃ －85℃

  • SC-20S

  • 2.0*1.2*0.35

  • 32.768KHZ

  • +-20PPM

  • -40℃ －85℃

  • SC-32S

  • 3.2*2.5*0.75

  • 32.768KHZ

  • +-20PPM

  • -40℃ －85℃

  • SSP-T7

  • 7.0*1.4*0.15

  • 32.768KHZ

  • +-20PPM

  • -40℃ －85℃

  • VT-200T-FL

  • 6.0*2.0*0.65

  • 32.768KHZ

  • +-20PPM

  • -40℃ －85℃